关于发布陕西省“两链”融合重点专项第二批揭榜挂帅课题榜单的公告
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国防科技;穿甲性能;电子产品;电子技术;军工;量化控制;基础研究;理论研究;力学;单晶硅;总磷含量;自耗电极;大口径;飞行时间;低功耗;比导通电阻;超导线圈;电子器件;耐腐蚀性;单晶生长
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基本情况
发布机构
陕西省科学技术厅
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文 号
课题方向
国防科技;穿甲性能;电子产品;电子技术;军工;量化控制;基础研究;理论研究;力学;单晶硅;总磷含量;自耗电极;大口径;飞行时间;低功耗;比导通电阻;超导线圈;电子器件;耐腐蚀性;单晶生长
资助力度
*
资助范围
陕西省
截止时间
*
公告原文
为切实解决制约陕西重点产业发展的“卡脖子”技术问题,提升科研投入绩效,根据《陕西省科学技术厅关于实施科技项目“揭榜挂帅”工作指引》(陕科办发〔2021〕23号)有关规定,拟采用“揭榜挂帅”方式实施“两链”融合重点专项攻关课题,现发布第二批课题榜单,面向全国公开征集解决方案和承担单位。
一、课题榜单
先进金属材料专项
1、丝材显微组织结构特征与力学性能关联研究 西安赛特思迈钛业有限公司
2、超细钼粉制备动力学机制 金堆城钼业股份有限公司
3、轧制变形和热处理对铝/镁复合板结合面处显微组织变化与结合强度的影响研究 西安天力金属复合材料股份有限公司
4、大孔径超导磁体电磁仿真设计 西部超导材料科技股份有限公司
5、FGH4097镍基高温合金粉末盘分段热处理工艺研究及组织性能匹配调控 西安欧中材料科技有限公司
6、添加石墨烯、Te、稀土等第三元素对提高真空自耗电触头导热、耐电弧烧蚀以及抗熔焊性的机理研究 陕西斯瑞新材料股份有限公司
7、高强高韧WNiFe合金变形强化及热处理关键工艺匹配与优化 西安瑞福莱钨钼有限公司
光子集成与光子制造专项
8、低损耗和高折射率差大规模光子集成芯片制造工艺及技术研发 西安奇芯光电科技有限公司
9、基于 AI 的全国产化多光谱成像测量装备产业化关键技术与工艺研发 西安中科立德红外科技有限公司
高端集成电路和先进半导体器件专项
10、面向新能源汽车电机驱动和直流电源的大电流低导通电阻开关器件 龙腾半导体股份有限公司
11、硅烷西门子法电子级多晶硅 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
二、揭榜要求
(一)共性要求
1.每个榜单任务拟支持课题1 项,可下设子课题。
2.榜单申报“不设门槛”,省内外单位均可申报。揭榜方与需求方不存在关联关系。
3.项目负责人无年龄、学历和职称要求,在揭榜攻关期间,原则上不得调离或辞职。
(二)个性化要求
详见“两链”融合重点专项揭榜挂帅课题任务(见附件)。
三、揭榜程序
(一)有意向揭榜的单位,可登录陕西省科技业务综合服务信息系统(网址:http://ywgl.sstrc.com/egrantweb/),线上填报《揭榜挂帅项目可行性方案》,可行性方案应涵盖张榜需求的全部内容,并提交相关证明材料。
征集时间:自张榜之日起至2021年11月30日18时截止。
(二)陕西省科技厅和需求方共同组成专家组审查揭榜方资质,评估项目可行性方案。
(三)需求方选择与揭榜方对接,达成共识的签署合作协议。根据项目需求,协议可对指南要求作适当微调。需求方无法确定唯一合作对象的,在征得揭榜方同意后可采取“赛马制”,平行启动,以最先达标的揭榜方为优胜者,其余揭榜方自动淘汰。
(四)揭榜结果向社会公示。无异议的项目,需求方与揭榜方作为联合承担单位与陕西省科技厅签订项目任务书。
(五)项目实施完成后,由需求方组织专家进行现场验收并出具验收意见,陕西省科技厅委托具备相关资质和检测条件的第三方专业机构参与验收。
四、诚信要求
揭榜方、需求方在技术攻关或成果转化的过程中,应本着实事求是的精神,严格遵循科研诚信、科学伦理等有关规定,坚决杜绝弄虚作假、串通控榜等不良行为。对存在违规现象的责任主体,按照国家和陕西省科研信用管理相关规定处理。
五、联系方式
高新技术处:武鹏,029-87294225
资源配置与管理处:杨凯,029-87294281
技术支持:4001616289,029-81776038
附件:1.“先进金属材料”重点专项揭榜挂帅课题任务
2."光子集成与光子制造”重点专项揭榜挂帅课题任务
3.“高端集成电路和先进半导体器件”重点专项揭榜挂帅课题任务
陕西省科学技术厅
2021年10月11日
附件1:关于发布陕西省“两链”融合重点专项第二批揭榜挂帅课题榜单的公告(终)-附件.pdf
附件1
“先进金属材料”重点专项揭榜挂帅课题任务
任务一:钛合金丝材显微组织结构特征与力学性能关联研究
需求背景:钛及钛合金丝材制作的紧固件被广泛用航空、航天等领域,如高锁螺栓、高强螺钉等。紧固件厂通常采用连续镦制工艺,百公斤级大单重钛合金盘圆丝材制造紧固件时损耗更低,可实现长时间(约20小时)的连续镦制作业,更好的实现连续镦制需求以及紧固件产品间的批次稳定性要求。然而国内紧固件用大单重钛及钛合金盘圆丝材尚存在显微组织、力学性能、表面质量等均匀一致性卡脖子技术难题,亟待突破解决钛合金丝材从原料铸锭到成品丝材全流程过程中显微组织和织构的演化行为研究,以实现大单重钛及钛合金盘圆丝材显微组织、力学性能均匀一致性的制造要求。以不断缩小与国外先进水平的差距为目标,构建自主可控大单重钛合金盘圆丝材产业链,解决航空、航天领域紧固件用原材料生产受制于人的问题,打破国外长期技术垄断,实现进口替代,服务国防事业,进一步提升我国武器装备能力和研制水平。
研究内容:重点研究钛合金从铸锭到棒坯、丝坯以及最终成品丝材整个流程中织构的演化行为,以及不同工艺对丝材显微组织和织构演化的影响。研究丝材热处理过程中的相转变行为以及织构变化行为。建立丝材显微组织形态、织构与力学性能之间的关联,并通过实验验证。
考核指标:
1.交付物:1)丝材不同制备阶段组织形态、织构特征类型研究报告1份,并通过需方组织的专家评审;2)钛合金丝材
显微组织结构特征与力学性能关联研究报告1份,并通过需方组织的专家评审;3)满足技术指标要求的直径为Φ3mm、长度不低于10米的TC4合金丝材;4)申请发明专利不低于1件。
2.技术指标:
1)明确表征丝材在不同制备阶段织构特征;
2)建立丝材组织形态、织构类型与力学性能的定性或半定量关系,并试制出直径为Φ3mm、长度不低于10米的TC4合金丝材(室温力学性能:退火态σb为900~1150MPa,δ4≥12%;固溶时效态σb≥1138MPa,σ0.2≥1069MPa,δ4≥10%,τ≥670MPa);
3)从基础研究角度给具有优异力学性能丝材对应的显微组织状态和织构特征。
经费预算:100万元
知识产权归属:西安赛特思迈钛业有限公司
时间节点:2022年10月完成丝材不同制备阶段组织形态、织构特征类型研究报告;2023年6月建立丝材组织形态、织构类型与力学性能的定性或半定量关系,完成钛合金丝材显微组织结构特征与力学性能关联研究报告;2023年6月通过需方组织的专家评审
其他要求:
需求方联系方式:
西安赛特思迈钛业有限公司
罗斌莉029-89196118,13992862442
任务二:超细钼粉制备动力学机制
需求背景:超细钼粉因其比表面积大、烧结活性高等特性而逐渐在真空电子、催化、航空喷涂等领域得以广泛应用。国内超细钼粉生产企业多以常规产品制备工艺为基础进行经验式调整,缺乏原料、工装与工艺之间系统的理论研究及指导,无法有效控制超细钼粉制备中的形核、长大、聚集等行为,严重制约产品的质量控制和规模化生产。通过对超细钼粉制备全流程动力学研究,实现对气-固反应气氛和晶体生长条件的量化控制,为高质量超细钼粉产业化生产提供科学依据,促进钼行业技术水平的提升,提高国内钼产品的市场竞争力。
研究内容:开展细粒级钼酸銨焙烧制备细粒级氧化钼反应机理及动力学研究,揭示反应条件对超细氧化钼的形核、长大、聚集行为的影响规律,寻求三氧化钼颗粒超细化、均匀化、非团聚的控制方案;开展超细三氧化钼还原反应机理及动力学研究,揭示超细钼粉颗粒形核、长大、物理团聚的协同控制机制及氧的赋存形式;开展超细钼粉制备过程中的原料、工艺、工装条件、理化指标的协同控制方法研究,并通过实验验证。
考核指标:
1.交付物:1)通过需方组织的专家评审的超细钼粉制备动力学研究报告1份;2)满足技术指标的超细钼粉5kg;3)申请发明专利不低于1件。
2.技术指标:建立细粒级钼酸銨焙解的动力学方程,构建超细三氧化钼物性指标与反应条件之间的函数关系,计算值与实验值相对误差<15%;建立超细三氧化钼还原过程中颗粒的转变模型,揭示杂质元素的逸出机制,阐明超细钼粉的生成路径及其关键影响因素;构建超细钼粉的原料-工艺-工装条件-理化指标的协同控制原理;制备出5kg超细钼粉,达到:1)费氏粒度≤1.5μm、比表面积≥1m2/g;2)氧含量≤0.1%;3)钼粉纯度≥99.97%。
经费预算:100万元
知识产权归属:金堆城钼业股份有限公司时间节点:
2022年6月完成细粒钼酸铵焙解动力学方程建立并通过实验验证达到技术指标要求;2022年12月完成超细氧化钼还原颗粒转变模型研究报告;2023年6月完成原料-工艺-工装-产品对应关系的确立及系统应用方程模型并通过实验验证;2023年12月完成满足技术指标要求的5Kg的超细钼粉制备,通过需方组织的专家评审。
其他要求:无
需求方联系方式:
金堆城钼业股份有限公司
何凯029-88411102-5101,13991380733
任务三:轧制变形和热处理对铝/镁复合板结合面处显微组织变化与结合强度的影响研究
需求背景:尽管镁合金具有良好的综合性能,但在很长一段时间,镁合金的发展缓慢,其主要原因是镁合金的加工变形能力差、耐腐蚀能力低。解决镁合金耐蚀性差的一个有效方法是在镁合金表面覆盖一层耐蚀性良好的其它金属材料,制备金属复合板。与镁合金类似,铝合金也是一种轻质材料,具有优异的耐腐蚀性和良好的成形性。通过轧制复合、爆炸复合或者爆炸+轧制的方法,可在镁合金表面覆盖一层耐蚀性良好的铝合金。镁铝复合材料与单一材料最大性能差异源于结合界面的组织形态和结合力对力学性能的影响。研究镁铝结合界面显微组织对复合板力学性能的影响,以及不同加工方式对结合界面显微组织的影响,对于铝镁复合板材料的生产工艺改进和不同环境使用具有重要意义。
研究内容:研究镁/铝复合板结合面处显微组织与结合力对复合板力学性能的影响;研究轧制变形和热处理对镁/铝复合板结合面处显微组织变化与结合力的影响,并通过实验验证。
考核指标:
1.交付物:1)轧制变形和热处理对镁/铝复合板结合面处显微组织变化与结合力影响的研究报告1份,并通过需方组织的专家评审;2)建立铝/镁轧制复合关键技术控制规范;3)性能达标的镁/铝复合板20kg;4)申请发明专利≥2件。
2.技术指标:阐明镁/铝复合板结合界面协调变形机理;揭示热处理、结合面处显微组织与结合力对复合板力学性能的影响规律;制备出镁/铝复合板20kg,力学性能达到:抗拉强度≥400MPa、延伸率≥6%、界面结合强度≥140MPa。
经费预算:100万元
知识产权归属:西安天力金属复合材料股份有限公司时间节点:
2022年10月完成镁铝复合板材结合界面协调变形机制研究;
2023年4月完成轧制变形和热处理对铝/镁复合板结合面显微组织与性能的影响;铝/镁板坯轧制复合技术关键技术研究。
2023年6月通过需方组织的专家评审。
其他要求:无
需求方联系方式:
西安天力金属复合材料股份有限公司王礼营029-86968307,18991897864
任务四:大孔径超导磁体电磁仿真设计
需求背景:在提拉法制备大尺寸单晶硅过程中引入磁场抑制硅熔体的对流(称为磁控直拉硅单晶生长技术,MCZ),可有效控制硅单晶中氧、碳等杂质的含量和分布均匀性,降低硅单晶中的微缺陷,是目前国际上制备大尺寸半导体级单晶硅的主要技术手段。国际上以信越化学、LGSiltron为代表的电子级单晶硅制造商全部采用2000Gs及以上的高场超导磁体(功率仅为10kW)生产Φ300mm及以上尺寸半导体级单晶硅。MCZ超导磁体是磁控直拉大尺寸单晶硅生长装备的关键部件,面对我国半导体行业对Φ300mm及以上半导体级单晶硅片的迫切需求,我国单晶硅行业亟需研究开发出Φ300mm及以上半导体级单晶炉用超导磁体技术,以促进行业技术水平提升、全面提高我国高端半导体级单晶硅的制造能力,改变在此领域我国长期受制于人的局面。
研究内容:针对300mm及以上半导体级单晶硅制备用制冷机直冷超导磁体,开发大孔径、高均匀度无液氦制冷机直冷NbTi超导磁体力-热-电-磁耦合多物理场优化设计技术。包括:1)采用多物理场耦合的自动化建模技术,实现大型NbTi超导磁体线圈低应力结构设计;2)采用主动匀场、被动匀场等相关方法,研究大孔径NbTi超导磁体匀场技术;3)采用主动屏蔽线圈、被动屏蔽方法研究大孔径、高均匀度NbTi超导磁体低漏磁设计技术。
考核指标:
1.交付物:1)大型制冷机直冷超导磁体设计研究报告1份,通过需方组织的专家评审;2)MCZ用制冷机直冷超导磁体设计方案1份,通过需方组织的专家评审;3)申请发明专利不
低于1项、软件著作权不低于1项.
2.技术指标:开发出大型制冷机直冷NbTi超导磁体低应力结构设计方法,完成满足大尺寸单晶硅制备用制冷机直冷超导磁体低电磁应力、低热应力的超导线圈结构设计方案,形成适用于大型超导磁体的低应力模拟核心计算代码;获得大孔径超导磁体磁场均匀化技术,得到有效磁场空间>1m的NbTi超导磁体设计方案,磁体中心最大磁场强度≥0.4T,中心轴向5Gauss磁场距离(无外加屏蔽)<12m,中心径向5Gauss磁场距离(无外加屏蔽)<9m。在有效磁场空间>1m时,在中心场为0.4T的情况下,以磁场中心为基准,在直径300mm的水平面内磁场均匀度高于1%。
经费预算:100万元
知识产权归属:西部超导材料科技股份有限公司
时间节点:
2022年10月完成大型制冷机直冷超导磁体设计研究报告;
2023年4月完成MCZ用制冷机直冷超导磁体设计方案;
2023年6月通过需方组织的专家评审
其他要求:无
需求方联系方式:
西部超导材料科技股份有限公司
王大友029-86569373,17629001866
任务五:FGH4097镍基高温合金粉末盘分段热处理工艺研究及组织性能匹配调控
需求背景:发动机是飞机的心脏。航空发动机推重比逐步从3~4提升到了9~10,涡轮前燃气温度更是从1200K~1300K提升到1800~2000K。与欧美等先进国家相比,我国航空工业的发展技术水平仍然比较落后。发动机部件所用材料及其制造工艺的滞后,是限制我国发动机发展的重要因素之一。航空发动机的技术进步与高温合金的发展密切相关。在高温合金制备过程中只有通过不断增加合金元素的组分来提高其使用性能,但是高组分合金在铸造过程中往往会出现成分元素偏析、晶粒尺寸粗大等现象导致热工艺性能恶化,并且成型制件加工困难成品率极低。粉末冶金高温合金能够控制粉末尺寸,实现晶粒组织的细小化、均匀化,并消除宏观偏析,逐步发展成为航空发动机热端部件成型的核心工艺。国外经过四十多年的研制、生产和使用,粉末高温合金的生产工艺已经相当成熟,质量控制手段也更为严格和完整,用途日趋广泛。美国、俄罗斯和欧洲等国家的一些先进军用发动机均采用了粉末高温合金涡轮盘。我国粉末高温合金经过近40年的大力发展,性能已经基本接近国际同类技术水平,先后成功研制了FGH4095、FGH4096以及FGH4097合金并应用,初步建立了自己的高温合金体系,但与国外先进材料相比,我国粉末冶金产品仍存在组织结构和状态不稳定,原始颗粒边界和非金属夹杂物含量高等问题,致使冶金件性能不稳定,工艺可靠性有待提高。通过热处理可调控产品的组织和性能,在没进入成品之前热处理制度的选择和确认是重要关键,现如今尤其缺少固溶温度及时间、时效温度及时间、时效次数等热处理工艺参数对FGH4097粉末冶金件晶粒度、晶界弯曲特性、γ/相、碳化物及硼化物的影响这方面的研究。
研究内容:
(1)固熔温度及时间对粉末冶金件晶粒尺寸、晶粒分散度及晶界弯曲特性的影响;
(2)时效温度、时间及次数对粉末冶金件γ'相、碳化物、硼化物析出规律的影响;
(3)研究晶粒尺寸、晶粒分散度、晶界弯曲特性及γ'相、碳化物、硼化物析出相尺寸和分布对粉末冶金件不同温度条件下强度、塑形、疲劳、蠕变、持久等性能的影响。
考核指标:
1.交付物:1)晶粒晶界变化规律的研究报告1份;2)γ'相分析研究报告1份;3)碳化物及硼化物变化规律的研究总结报告1份;4)组织性能检测分析报告1套。
2.技术指标:涡轮盘最大直径≥620mm;室温抗拉强度≥1420MPa,延伸率≥16%;650℃高温抗拉强度≥1300MPa,延伸率≥15%;室温冲击AKU2≥32J;布氏硬度HBW介于302~415之间;650℃/980MPa组合持久断裂时间≥100h;650℃/980MPa低周疲劳周次≥5000次。
经费预算:100万
知识产权归属:西安欧中材料科技有限公司时间节点:
2022年5月完成FGH4097镍基粉末高温合金热等静压件的制作;
2022年7月完成热处理工艺方案的设计及实施;
2022年9月完成热处理工艺方案产品的组织及性能检测;
2023年10月完成FGH4097镍基高温合金粉末盘分段热处理工艺研究及组织性能匹配调控研究报告。
其他要求:无
需求方联系方式:
西安欧中材料科技有限公司,电话:029-86252457
任务六:添加石墨烯、Te、稀土等第三元素对提高真空自耗CuCr电触头导热、耐电弧烧蚀以及抗熔焊性的机理研究
需求背景:中高压输配电用真空断路器中的真空灭弧室是熄灭电弧的关键部件,铜铬触头性能的好坏直接决定灭弧室在大电流开断过程中的稳定性,制造高性能的铜铬触头材料有利于降低我国在高压领域的输配电电网故障。真空熔铸CuCr触头由于高的开断性能,目前被广泛应用于国内外真空开关内,使用量大约占全球40%。随真空开关向小型化发展及高可靠指标要求,在高电压等级上要求真空开关逐渐取代现有的SF6断路器,实现在高电压等级上的应用,需要CuCr触头材料具有更高的耐压强度,更好的抗熔焊性能以及更加优异的抗熔焊和开断性能。采用在CuCr触头材料中添加第三元素可改善CuCr触头材料的导电、导热、硬度和强度等指标,会对CuCr触头材料的电性能产生显著影响,因而研究采用在真空自耗电弧熔炼工艺中添加微量元素的方式对CuCr触头材料进行性能提升。
研究内容:
1)在电极棒混料中添加石墨烯,通过真空自耗熔炼使石墨烯在组织中均匀分布,提高CuCr触头的导热、导电以及耐电弧烧蚀等性能;
2)在自耗电极棒中添加低熔点Te,在熔炼过程中形成CuTe中间相来降低材料抗拉强度,提高真空自耗CuCr触头的抗熔焊性;
3)添加稀土Re等第三元素,提高真空自耗CuCr触头的纯度、细化组织以及均匀性。
4)研究不同第三元素对真空自耗CuCr电触头导电、导热、耐电弧烧蚀以及抗熔焊等性能的影响,从而选出最佳的第三元素。
考核指标:
1.交付物:1)添加石墨烯、Te以及稀土元素对CuCr触头力学材料和电性能影响的研究报告,并经过专家评审;2)满足技术指标要求的实物样品3件,并需经5个小批次实现连续
稳定制备出满足技术指标的产品;3)发明专利不少于1件。
2.技术指标:
1)添加石墨烯或其它第三元素后,真空自耗CuCr触头的导热率提高10%,硬度提高20%。
成分现有性能指标目标性能指标导热率
(W/m.k)硬度
(HB)导热率
(W/m.k)
硬度(HB)
CuCr2533885-100>372102-120
CuCr3032585-100>360102-120
CuCr4030095-110>330114-132
2)添加Te或其它第三元素后,真空自耗CuCr触头的熔焊性较正常工艺降低25%。
3)采用该技术成果在真空断路器中进行应用,触头压力降低25%以下,具体电性能指标如下:
4)组织均匀一致,平均Cr颗粒小于40μm,富集区小于100μm;
经费预算:100万元
知识产权归属:陕西斯瑞新材料股份有限公司
时间节点:
2022年12月完成添加石墨烯、Te以及稀土元素的工艺试验并完成样品交付;
2022年12月-2023年6月完成添加不同元素的分析报
告,并实现连续5个批次的研究验证
2023年6月-2023年12月组织完成专家评审工作。
其他要求:无
需求方联系方式:
陕西斯瑞新材料股份有限公司
王沛029-81328401,15249213592
任务七:高强高韧WNiFe合金变形强化及热处理关键工艺匹配与优化
需求背景:WNiFe系高比重钨合金是尖端武器装备和高新技术发展不可或缺的关键材料,该合金具有密度高、强度大、延展性好、热膨胀系数小、导电和导热性能好以及抗腐蚀和抗氧化能力强、机加工和可焊性良好等优异性能。高比重WNiFe合金弹芯具有初始动能大、初速高、垂直穿甲性能好,直射距离大、飞行时间短、射击精度高等优点,已成为大口径反坦克炮的主要弹种。此外,在航空工业中被用作陀螺转子、惯性旋转元件,在医疗卫生行业中被用作射线屏蔽材料,在金属加工行业被用作电热镦粗砧块材料、压铸模材料等用途。目前对于高强高韧WNiFe合金材料研究仍落后于国际水平,面对国家中长期规划和重大工程需求,亟需实现高强高韧高密度WNiFe合金产业的升级换代,并进一步取代进口,研究高强高韧WNiFe合金的变形强化及热处理关键工艺匹配与优化,对于提高该材料生产质量水平具有重要的意义。
研究内容:针对高比重WNiFe合金制备中表面和芯部力学性能差异大、组织缺陷多等实际问题,重点开展WNiFe合金变形强化新技术研究、高比重WNiFe合金分步烧结或保温烧结新工艺研究,实现热处理关键技术优化;开展高比重WNiFe合金表面晶粒异常长大、缺陷控制,以及变形加工与热处理匹配研究等。
考核指标:
1.交付物:1)高强高韧WNiFe合金变形强化及热处理研究报告1份,并通过需方组织的专家评审;2)高强高韧WNiFe合金变形强化及热处理工艺技术方案1份,并通过需方组织的专家评审;3)Ф60mm×200mm高强高韧WNiFe合金棒材1支及相关检测报告;4)申请发明专利不少于1件。
2.技术指标:
Ф60mm的WNiFe合金棒材表面与芯部力学性能差异明显减小,边部抗拉强度值>1400MPa,芯部抗拉强度>1280MPa,芯部与表面延伸率差值<8%,延伸率>10%;内部组织应经超声波无损探伤,合金棒材缺陷评价中,无大于Ф0.8mm直径平底孔当量缺陷。
经费预算:100万元
知识产权归属:西安瑞福莱钨钼有限公司时间节点:
2022年5月完成高强高韧WNiFe合金变形强化及热处理工艺技术方案评审;
2023年5月完成高强高韧WNiFe合金变形强化及热处理工艺技术方案实施,提供样品实物,组织课题预验收;
2023年8月通过需方组织的专家评审,完成课题验收。
其他要求:无
需求方联系方式:
西安瑞福莱钨钼有限公司
范文博:029-86969986,18710705780
附件2
“光子集成与光子制造”重点专项揭榜挂帅课题任务
任务一:低损耗和高折射率差大规模光子集成芯片制造工艺及技术研发
需求背景:当前国内的光子集成芯片多采用低折射率差低损耗(SiO2)材料或高折射率差高损耗(Si)材料,虽然低折射率差低损耗(SiO2)材料传输损耗低,但芯片尺寸大、集成度低;而高折射率差高损耗(Si)材料芯片尺寸小、集成度高,但传输损耗大,从而导致我国的高端光子集成芯片严重依赖进口。为了提升我国在光子集成芯片领域的竞争力,突破国外对我们的限制,急需建立具有自有知识产权,兼具低损耗和高折射率差的特色半导体光子集成平台,切实解决光通信高速率、多功能、多通道和低功耗的应用需求。
研究内容:
1.研究高精度、高均匀一致性的薄膜沉积技术和应力控制技术,实现高折射利率差材料的无缺陷生长;
2.研究工艺与模型参数的映射机制,建立光子器件行为的预测模型;
3.研究高精度波导成型工艺技术,实现低损耗波导技术的产业化应用。
考核指标:
1.交付物:
基于CMOS工艺的低损耗和高折射率差光子集成工艺包与若干特种设备。
2.技术指标:
指标参数第一年第二年第三年
波导折射率1.61.71.7
折射率差10%17%17%
O波段和C
波段传输损耗
<0.10dB/cm
<0.10dB/cm
<0.05dB/cm
温度敏感性1.5GHz/C1.5GHz/C1.5GHz/C
经费预算:不超过2500万元。
知识产权归属:需求方与揭榜方双方在合作过程中的背景知识产权归各方分别拥有,前景知识产权归需求方所有。
时间节点:2021年至2024年,执行期不超过36个月。
其他要求:
(一)技术性要求
1.本项目拟采用CMOS设备平台完成开发,CMOS设备平台必须满足以下技术要求:
2.光刻:具备分辨率≤0.4m,套准精度优于0.1m的投影光刻工艺能力。
3.PECVD:具备沉积介质材料SiN、SiON、SiO2的能力,膜厚范围50nm3m,薄膜厚度均匀性<1.5%。
4.介质膜折射率测量能力:需具备精度优于±0.0005的折射率测量能力。
5.HDP能力:膜厚范围50nm3m,薄膜厚度均匀性<1.5%,能填充纵宽比为3,深度为3m的结构。
6.CMP:控制精度为±200nm。
7.离子注入能力:注入能量大于1Mev,能够多角度同时注入硼、磷、砷元素。
8.金属化工艺能力:具备Al、Ti、W等金属层沉积能力,薄膜厚度均匀性<3.5%。
9.刻蚀能力:具备介质层、金属层、Si材料的干法刻蚀能,介质层刻蚀深度>1.6m、均匀性<5%、刻蚀最小线宽0.5m、CD一致性±50nm、金属刻蚀速率Std%<5%、CDRange≤0.03m、Si材料刻蚀深度>400nm、最小线宽0.4m。
(二)合作性要求
1.揭榜方为需求方研发技术人员提供不少于100平米的办公场地,并提供15~20位研发人员的工位和日常必备的办公用品。
2.揭榜方按照需求方的工艺要求,无偿改造供气和动力配套设施,以及工艺设备腔体,确保项目研发的顺利实施。
3.揭榜方提供项目研发所需的专有设备和共享设备,并配备4~5位工艺工程师,每位工程师在此项目投入的时间比例不低于50%。揭榜方为项目使用的每个设备配备专有的操作人员,操作人员具备大专以上学历,并具备上岗证。允许需求方团队的研发工程师直接操作机台,并对操作员进行直接指导。
4.揭榜方提供项目研发过程中使用的常规制造材料和常规设备的备件(如光刻胶、研磨液、常规工艺气体和正常监控使用的监控片等)。
5.揭榜方为需求方特殊的光子集成工艺或测试设备提供专有设备运行场地,并提供必要调试安装帮助。
需求方联系方式:
西安奇芯光电科技有限公司,15349105326
任务二:基于AI的全国产化多光谱成像测量装备产业化关键技术与工艺研发
需求背景:国产红外成像设备在复杂环境场景下易产生图像灰度数据的漂移、均匀性和线性度等参数的变化,导致成像质量下降和数据不稳定,严重影响智能化评估效果。同时,在特种环境下易受伪装、诱饵目标干扰,无法实现精准的目标识别、跟踪。因此,实现全面自主可控,开展高精度红外成像测量技术、自监督学习和进化学习的智能图像处理算法等关键核心技术的研究,实现基于AI的全国产化多光谱成像测量装备产业化关键技术与工艺研发迫在眉睫。
研究内容:针对国产红外成像设备在实际应用场景中存在的数据漂移、非均匀性、线性度等性能下降问题,开展自适应非均匀校正、温漂自适应抑制等高精度红外成像测量技术研究,获取高稳定测量数据源,为智能化评估提供可靠数据。针对在特种环境下探测目标易受伪装、诱饵的干扰,开展基于视觉感知和脑认知机理的多光谱/多波段的目标检测、基于自监督学习和进化学习的识别与跟踪、评估技术和红外图像处理等先进算法的研究,解决检测、识别、跟踪不准确的问题。
考核指标:
1.交付物:
(1)全国产化高灵敏多光谱红外成像测量装备2套;
(2)装备生产的全套工艺;
(3)知识产权输出不少于25项,其中:发明专利20项,
软件著作权5项;
(4)研究形成算法不低于30项。
2.技术指标:
(1)参数指标
1)分辨率:1280×1024、640×512;
2)光谱范围:短波红外、中波红外、长波红外;
3)帧频:≥100Hz;
4)NETD:≤10mk@25℃;
5)非均匀性:≤0.3‰;
6)稳定性:10小时内非均匀性≤0.8‰;
7)常规目标识别与跟踪:平均识别率达到95%以上,平均误检率≤3%;跟踪速度为1280*1024@50Hz,跟踪精度要求1-2像素;
8)弱小目标检测与跟踪:目标尺寸最小1像素,虚警率优于2次/10min,漏检率≤1%,速度1280*1024@50Hz,跟踪精度1像素。
(2)功能指标
1)自适应高动态HDR混合调光技术;
2)基于目标辐射特性自适应非均匀校正技术;
3)基于深度学习的温漂自适应抑制技术;
4)伪装条件下基于多光谱数据的AI典型目标检测、识别和跟踪技术;
5)AI算法需具有自学习、自进化、自仿真等功能。
(3)国产化指标
设备所涉及的材料、器件和软件全国产化。
3.经济指标:基于AI的全国产化多光谱成像测量装备经试制及工艺固化后即可转批产,预计销售收入8000万元,净利润2000万元。
经费预算:不超过2500万元。
知识产权归属:知识产权及源代码属于西安中科立德红外科技有限公司所有。
时间节点:2022年至2024年底,执行期不超过36个月。
其他要求:
(1)申报单位必须是西安市内具有独立法人资格的企事业单位,具有承担申报项目的条件和能力,具备保密资质,运营和财务状况良好,诚信守法,不属于失信被执行人;
(2)揭榜单位主营业务与榜单研究内容所属领域一致,具备良好科研基础、研发能力和组织能力,有开展相应研究工作的仪器设备、实验室和场地,有政府装备方面成功应用案例;
(3)在拟揭榜的技术领域有较强的技术优势,拥有较强的科研人才和产业化队伍,有专门的人工智能研究机构,研究人员不少于500人,能够提出科学合理的技术实施路线和项目建设方案;
(4)揭榜单位人工智能领域、遥感图像解译领域曾获国家级二等奖及以上或省部级一等奖不少于3项;建有人工智能领域的省部级及以上重点实验室或国际联合研究中心,揭榜后能够同需求方共建联合创新中心;
(5)项目榜单应整体揭榜,覆盖榜单所有研究内容及考核指标。项目可根据需要设置子课题。
(6)近三年内无重大质量、环境、安全等不良信用记录或重大违法行为。
需求方联系方式:
西安中科立德红外科技有限公司,18991150791
附件3
“高端集成电路和先进半导体器件”重点专项揭榜挂帅课题
任务一:面向新能源汽车电机驱动和电能变换的高电压大电流开关器件
需求背景:功率电子技术(PowerElectronics)是现代社会的重要支撑技术,几乎渗透到社会生活的各个方面,支撑着数万亿元的工业和民用电子产品市场。功率半导体器件(也称电力电子器件)是功率电子技术的基础和核心,直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制,其作用主要分为功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等。目前功率半导体器件的应用范围已从传统的工业控制和4C产业(计算机、通信、消费类电子产品和汽车),扩展到新能源、轨道交通、智能电网等新领域。
研究内容:
1.900VVDMOS器件结构设计;
2.900VVDMOS工艺流程设计;
3.900VVDMOS器件封装设计。
考核指标:
1.交付物:
1.五个电流规格型号封装产品各5K;
2.申请集成电路布图不少于10项;
3.第三方检测报告1份;
4.申请发明专利不少于5项。
2.技术指标:
1.研制基于2um平面工艺平台的900V功率VDMOS器件,其反向击穿电压>909V,阈值电压范围2V~4V,比导通电阻Rsp<26ohm*mm2。
2.优化900V功率VDMOS器件工艺流程,设计900VVDMOS器件版图结构,形成900V工艺平台的固化工艺及至少5个电流规格的产品版面定型。
3.验证900V功率VDMOS器件高可靠性封装,产品TO-220F封装外形至少需要通过77PCS500小时高温栅偏实验(HighTemperatureGateBias,HTGB)与高温反偏试验(HighTemperatureReverseBias,HTRB)。
经济指标:
在新能源汽车类、工业类、特种应用及新基建类市场进行应用验证,实现不少于5种型号的900V以上高压VDMOS系列芯片,实现合同销售收入5000万元。
经费预算:1000万元。
知识产权归属:本项目最终形成的知识产权及源代码全部属于龙腾半导体股份有限公司所有,揭榜方不得复制或转让给第三方,在合同期满三年内也不得自行商业化应用。
时间节点:本项目此2021年1月开始至2023年12月结束,执行期共三年。
其他要求:(1)“揭榜”单位应建有研发机构,或依托相关领域科技创新平台开展课题研究,“揭榜”单位前期应在功率半导体等领域拥有核心专利技术,优先选择已成功在课题需求方向或相似目标成果上实现工程化应用或产业化应用、具备成熟工程化能力的行业优势单位,优先选择相关科研成果已获得省级及以上主管部门荣誉认定的行业优势单位。“揭榜”单位的科研工作应遵循质量管理体系和信息安全管理体系,优先选择通过相关体系认证的单位。
(2)“揭榜”单位应推荐1名高级职称科研人员作为课题
负责人,并安排不少于4名科研人员全程参与课题组织实施,统筹管理课题实施进度、经费安排和结题验收等工作。在课题执行期内,课题负责人应为课题牵头单位(或参与单位)的全职人员。
(3)“揭榜”单位需自觉按照课题任务书节点形成课题成果,需求方按节点对“揭榜”单位进行课题进度审核,通过后拨付课题经费。基于课题研究所形成的知识产权成果归需求方所有。
(4)揭榜单位应遵守科研诚信管理要求,需承诺所提交材料真实性,揭榜单位和课题参与人应遵守中国知识产权法律、法规、规章、具有约束力的规范性文件及在中国适用的与知识产权有关的国际公约,用于“揭榜”申报项目的成果无知识产权明晰争议,归属或技术来源正当合法,不存在知识产权失信违法行为。
需求方联系方式:
龙腾半导体股份有限公司,029-86658666
任务二:硅烷西门子法电子级多晶硅
需求背景:本项目主要研究“用于制备军工和航空航天探测器件、雷达的高阻和超纯区熔用多晶硅产品制备技术”,高阻和超纯区熔用多晶硅产品区熔用多晶硅下游产品为区熔硅单晶,区熔用多晶硅材料是区熔硅单晶片的核心原材料,其产品纯度要达到13N以上,是多晶硅里面的尖端产品,有“皇冠明珠”之美誉,被广泛应用于微波通讯、雷达、导航、测控、医学、军事和航空航天等领域。
研究内容:本课题的研究内容主要围绕生产N型电阻率大于10000Ω·cm,直径大于150mm的区熔用多晶硅棒展开:第一步:制备N型电阻率大于10000Ω·cm,直径大于150mm的高阻区熔用多晶硅棒,并在国内企业制备4-6寸高阻区熔单晶硅片。
第二步:使用国内材料制备合格的单晶硅片,在下游器件厂家制备出合格器件,并在国家国防科技工业局下属单位或国家军工企业进行试用。
第三步:第二步完成的器件通过国家国防科技工业局下属单位或国家军工企业试用,形成商业化能力。课题承接单位配合天瑞公司对项目过程进行总结、提炼,形成标准、专利等知识产权。配合天瑞公司形成区熔用多晶硅产品的稳定生产和销售,产生经济和社会效益。
考核指标:
1.交付物:
1.N型电阻率大于10000Ω·cm,直径大于150mm的区熔用多晶硅棒
2.使用国产区熔多晶硅拉制的4-6寸N型电阻率大于
10000Ω·cm本征单晶硅。
3.第三方检测报告一份
4.申请专利不少于5项
2.技术指标:
纯度指标总碳含量ppma总氧含量ppma总硼含量ppta总磷含量ppta体金属ppbw
项目指标<0.02<0.05<5<20<0.5
性能指
标电阻率
ohm·cm少子寿命
us直径
mm产能
吨/年产值
万元/年
项目指
标区熔硅
>10000
>1000区熔多晶
硅>150
300
4500
3.经济指标
天瑞公司已经建立300吨/年产能的生产线,并预留700吨
/年的产能提升空间,商业化导入成功后预计可以具备20%进口替代的能力。本项目完成之后,预计将实现,约4500万元/年的产值。完成从3000-10000Ω·cm、4-6寸大直径区熔用多晶硅,完善中国半导体产业链。
经费预算:3000万元。
知识产权归属:本项目最终形成的知识产权及全部属于陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司所有,揭榜方不得复制或转让给第三方,在合同期满三年内也不得自行商业化应用。
时间节点:本项目此2021年1月开始至2023年12月结束,执行期共三年。
其他要求:
本课题面向国内高校、科研院所、企业和各研究主体单位,揭榜单位应为独立法人单位,并须遵循下列条件:
(1)“揭榜”单位应建有研发机构,或依托相关领域科技创新平台开展课题研究,“揭榜”单位前期应在硅生产领域拥有核心技术,优先选择已成功在课题需求方向或相似目标成果上实现工程化应用或产业化应用、具备成熟工程化能力的行业优势单位,优先选择相关科研成果已获得省级及以上主管部门
荣誉认定的行业优势单位。“揭榜”单位的科研工作应遵循质量管理体系和信息安全管理体系,优先选择通过相关体系认证的单位。
(2)“揭榜”单位应推荐1名高级职称科研人员作为课题
负责人,并安排不少于4名科研人员全程参与课题组织实施,统筹管理课题实施进度、经费安排和结题验收等工作。在课题执行期内,课题负责人应为课题牵头单位(或参与单位)的全职人员。
(3)“揭榜”单位需自觉按照课题任务书节点形成课题成果,需求方按节点对“揭榜”单位进行课题进度审核,通过后拨付课题经费。基于课题研究所形成的知识产权成果归需求方所有。
(4)揭榜单位应遵守科研诚信管理要求,需承诺所提交材料真实性,揭榜单位和课题参与人应遵守中国知识产权法律、法规、规章、具有约束力的规范性文件及在中国适用的与知识产权有关的国际公约,用于“揭榜”申报项目的成果无知识产权明晰争议,归属或技术来源正当合法,不存在知识产权失信违法行为。
需求方联系方式:
陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司,0912-2217248
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